洛克人zero4攻略（洛克人zero4 boss顺序）

1、洛克人zero4攻略

洛克人 Zero 4 攻略

序章：觉醒

控制洛克人 Zero 前往森林地带。

与害虫机器人战斗，获得 E 晶片。

击败头目后获得 Z 晶片。

第一关：废弃都市

击败第一个机器人后获得 H 晶片。

激活左边的激光陷阱，使用 E 晶片破墙。

击败第二个机器人后获得 P 晶片。

使用 Z 晶片和 P 晶片通过磁铁墙。

击败头目后获得 G 晶片。

第二关：电子隧道

击败第一个机器人后获得 S 晶片。

使用 Z 晶片和 S 晶片跳到管道上。

与 Boss X 战斗，并获得 Z 碎块。

第三关：实验工厂

击败第一个机器人后获得 A 晶片。

使用 Z 晶片和 A 晶片破开天花板。

击败第二个机器人后获得 F 晶片。

使用 Z 晶片和 F 晶片使用风扇。

击败头目后获得 L 晶片。

第四关：地下水道

击败第一个机器人后获得 1 晶片。

使用 Z 晶片和 1 晶片破开墙壁。

击败第二个机器人后获得 6 晶片。

使用 Z 晶片和 6 晶片使用激光陷阱。

击败头目后获得 E 碎块。

第五关：森林地带

击败第一个机器人后获得 3 晶片。

使用 Z 晶片和 3 晶片跳到树枝上。

击败第二个机器人后获得 8 晶片。

使用 Z 晶片和 8 晶片使用传送带。

击败头目后获得 C 晶片。

第六关：中央领域

击败第一个机器人后获得 4 晶片。

使用 Z 晶片和 4 晶片破墙。

击败第二个机器人后获得 9 晶片。

使用 Z 晶片和 9 晶片使用传送带。

击败头目后获得 S 碎块。

第七关：废弃都市（重返）

获得晶片 N。

使用 Z 晶片和 N 晶片破开天花板。

击败头目后获得 V 碎块。

第八关：电子隧道（重返）

获得晶片 7。

使用 Z 晶片和 7 晶片使用激光陷阱。

击败头目后获得 P 碎块。

第九关：实验工厂（重返）

获得晶片 2。

使用 Z 晶片和 2 晶片破墙。

击败头目后获得 F 碎块。

第十关：地下水道（重返）

获得晶片 5。

使用 Z 晶片和 5 晶片破墙。

击败头目后获得 M 碎块。

最终关：月面基地

击败第一个机器人后获得晶片 O。

使用 Z 晶片和 O 晶片使用传送带。

击败 Boss Omega，获得最后的 Z 碎块。

获得晶片 Q。

使用 Z 晶片和 Q 晶片与最后的头目 Omega 零战斗。

收集所有 Z 碎块和晶片

获得所有 Z 碎块以获得最终武器 Ragnarok。

收集所有晶片以获得额外的能力和提升。

提示

使用不同的晶片组合来适应不同的情况。

升级你的武器和护甲以增加伤害和防御。

探索隐藏区域以找到额外的物品。

在困难模式下完成游戏以获得额外的奖励。

2、洛克人zero4 boss顺序

1. 幻影

2. 猎鹰

3. 疾风迅雷

4. 幻影鲨

5. 电击魔

6. 潘多拉

7. 赫拉克洛斯

8. 怀斯

3、洛克人zero4怎么获得ex技

获得洛克人Zero 4中EX技的方法：

1. 收集EX技能碎片：

- 从敌人和宝箱中随机掉落。

- 完成特定任务或达成特定条件。

2. 找到EX技能合成装置：

- 位于不同关卡的隐藏区域。

3. 合成EX技能：

- 使用EX技能碎片在EX技能合成装置中合成EX技能。

- 所需的EX技能碎片数量和类型因技能而异。

EX技能合成装置的位置：

| 关卡 | EX技能合成装置位置 |

|---|---|

| 第1关 | 左上方传送门后的隐藏房间 |

| 第2关 | 右侧电梯底部 |

| 第3关 | 左侧房间 |

| 第4关 | 上层右边的隐形路径 |

| 第5关 | 中央传送区的左上方 |

| 第6关 | 中途一个隐形房间 |

| 第7关 | 右下角 |

| 第8关 | BOSS房间前 |

| 第9关 | 进入BOSS房间前的走廊 |

提示：

EX技能合成装置只能在每个关卡使用一次。

一些EX技能只能通过达成特定任务或条件来获得。

收集尽可能多的EX技能碎片，以解锁更多EX技能。

4、洛克人zero4boss攻略

洛克人 Zero 4 BOSS 攻略

第一關: 聖殿遺跡

赫利歐斯

弱點：雷射劍和迴旋鏢

戰略：規避它的激光攻擊，用雷射劍或迴旋鏢攻擊它的頭部。

潘朵拉

弱點：Z-Buster（Z蓄力砲）和飛鳥斬

戰略：躲避它的飛彈和能量球，用Z蓄力砲或飛鳥斬攻擊它的核心。

第二關: 黑暗之海

提瑪古蘭

弱點：Z-Saber（Z光劍）和冰鳥斬

戰略：應對它的電流攻擊，用Z光劍或冰鳥斬攻擊它的頭部。

海龍

弱點：電擊和迴旋鏢

戰略：規避它的水龍捲和雷射攻擊，用電擊或迴旋鏢攻擊它的身體。

第三關: 罪惡研究所

哈普羅克斯

弱點：Z-Saber（Z光劍）和迴旋鏢

戰略：躲避它的誘導飛彈和火球攻擊，用Z光劍或迴旋鏢攻擊它的核心。

費佐

弱點：雷射劍和流星斬

戰略：應對它的能量球和火焰攻擊，用雷射劍或流星斬攻擊它的身軀。

第四關: 惡魔城堡

凡斯

弱點：飛鳥斬和迴旋鏢

戰略：規避它的鐮刀攻擊和飛彈，用飛鳥斬或迴旋鏢攻擊它的身體。

哈帕克斯

弱點：Z-Buster（Z蓄力砲）和雷射劍

戰略：應對它的火柱和激光攻擊，用Z蓄力砲或雷射劍攻擊它的核心。

第五關: 月球基地

巴爾博雷

弱點：Z-Buster（Z蓄力砲）和雷射劍

戰略：躲避它的火箭彈和電流攻擊，用Z蓄力砲或雷射劍攻擊它的核心。

西爾瑪

弱點：雷射劍和飛鳥斬

戰略：應對它的雷射和飛彈攻擊，用雷射劍或飛鳥斬攻擊它的身軀。

第六關: 奧米加

韋加

弱點：雷射劍和流星斬

戰略：規避它的近戰攻擊和能量球，用雷射劍或流星斬攻擊它的頭部。

奧米加

弱點：雷射劍和Z-Buster（Z蓄力砲）

戰略：應對它的各種攻擊，用雷射劍或Z蓄力砲攻擊它的核心。